igbt是什么，igbt模块如何使用？
IGBT模块的使用：
1 ．防止静电 IGBT 是静电敏感器件，为了防止器件受静电危害，应注意以下两点：
① IGBT 模块驱动端子上的黑色海绵是防静电材料，用户用接插件引线时取下防静电材料立即插上引线；在无防静电措施时，不要用手触摸驱动端子。
② 驱动端子需要焊接时，设备或电烙铁一定要接地。
2 ．选择和使用
① 请在产品的最大额定值（电压、电流、温度等）范围内使用，一旦超出最大额定值，可能损坏产品，特别是 IGBT 外加超出 Vces 的电压时可能发生雪崩击穿现象从而使元件损坏，请务必在 Vces 的额定值范围内使用！工作使用频率愈高 , 工作电流愈小；源于可靠性的原因，必须考虑安全系数。如果使用前需要测试请务必使用适当的测试设备，以免测试损坏。
② 驱动电路：要确保在模块的驱动端子上的驱动电压和波形达到驱动要求； 栅极电阻 Rg 与 IGBT 的开通和关断特性密切相关，减小 Rg 值开关损耗减少，下降时间减少，关断脉冲电压增加；反之，栅极电阻 Rg 值增加时，会增加开关损耗，影响开关频率；应根据浪涌电压和开关损耗间最佳折衷 ( 与频率有关 ) 选择合适的 Rg 值，一般选为 5 Ω至 100 Ω之间。
③ 保护电路： IGBT 模块使用在高频时布线电感容易产生尖峰电压，必须注意减少布线电感和元件的配置，应注意以下保护项目：过电流保护、过电压保护、栅极过压及欠压保护、安全工作区、过温保护。
④ 吸收电路： 由于 IGBT 开关速度快，容易产生浪涌电压，必须设有浪涌钳位电路。
⑤ 并联使用： 应考虑栅极电路、线路布线、电流不平衡和器件之间的温度不平衡等问题。
⑥ 使用时请避开产生腐蚀气体和严重尘埃的场所。
高速列车中的IGBT是什么？
IGBT是一种功率半导体开关——小到手机充电器、到微波炉、变频空调/冰箱等家电，大到新能源汽车、高铁，超高压输电线路的变电站都会用到功率半导体开关这一元器件，甚至有可能应用在航母的电磁弹射等。
那IGBT到底是什么呢？它具体是怎么起作用的呢？下面让我们来一一回答。
IGBT到底是个啥？英文全称为Insulated Gate Bipolar Transistor。这一长串英文单词，是不是好像除了一个Gate其他都不太好认？你可以把他，当做是一种电路的开关，一种可以人为精确控制的电路开关，并且开和关的速度可以达到每秒上万次。从外观上看，大概是这个样子的。
这个动画视频，用三分钟说清了IGBT的具体原理。至于为什么我们需要有这样功能的开关，可以拉到文末看第二部分——
不点开视频的话，你也可以通过下面的文字了解——
IGBT的雏形是二极管，下面我们由浅及深，逐步介绍IGBT有趣的工作原理。
二极管的工作原理二极管由半导体材料，比如硅Si，制造出来，Si的价电子层有四个电子，会跟相邻的四个Si原子形成共价健。
电流的传导需要自由电子，而共价键比较稳定，几乎没有多余电子。怎么办呢？科学家想出一个办法——掺杂。比如用价电子为5的磷P置换Si，自由电子产生了。
光有电子没有用，半导体需要用价电子为3的硼B置换另一块Si，空穴产生了。就这样，萝卜和坑都有了。
前者被称为N型半导体，后者被称为P型半导体。
将N型和P型半导体拼在一起，二极管就诞生了。在两种半导体的交界线，有趣的事情发生了。交界处的空穴和电子，在相互吸引下，“牵手”成功。
同时因为电子的离开，会使N部分边缘轻微带正电。相反，P部分边缘带负电。产生的内电场（又称势垒）会阻止任何一个电子进一步迁移。因此断电状态下，二极管内是没有电流的。
下面，我们给二极管接上电源。
此时电源吸引电子和空穴到两个极端，无法有电流产生，也就是电路断开。
如果反转电源，又会发生什么？
假设电源有足够电压，能够克服内电场的阻挡，电子会越过势垒，跳到P型的空穴里，并逐渐移动到外部电路，即电路接通。此时外部电压也被称为二极管的正向偏压。
这种材料存在导通和不导通两种状态，而且可以人为控制，所以被成为“半导体。”接下来，难度有所升级哦。
MOSFET的工作原理MOSFET，又简称MOS管，金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，有NPN型和PNP型。我们以NPN型为例，看看电路是如何接通和断开的。
和二极管相同，MOS管的N部分、P部分交界处也会产生内电场，阻止电子扩散，此时没有电流。
下面我们接通电源，底部N部分电子向正极移动，空穴向相反方向移动，底部N与P交界处内电场持续增大，即电路断开。反向接通电源，也是如此，在上端的N型半导体与P型半导体交界处，内电场增大，电路依旧处于断开状态。那么，怎么才能让电路接通呢？
MOSFET的剖面大概是这个样子的
这个结构无论正反接电压，都无法使电路导通
工程师在P部分上方加入金属板和绝缘板，又称为栅级。
源极与漏极电压不变，栅源加正电压。栅极将P部分电子吸引到绝缘板附近，空穴被填充，此处电位逐渐变化到和两旁N部分相同，于是一条通道打开了。
电子在源极、漏极电压驱动下运动，产生电流，电路接通。
升高栅极电压，电路接通；降低栅极电压，电路断开。
栅极的存在，使得MOS管只需要很小的驱动功率和很低的电压，就可以控制大功率大电压的电路。而且可以实现很快的速度。我们理想中的开关管已经产生了。
IGBT的区别其实IGBT的结构和MOS管非常接近，只是有时候，MOSFET支持的电压还不够高，电流还不够大。电压乘以电流等于功率，也就是MOSFET控制的电路，功率还不够高。此时需要背面增加N+和P+层。
“+”意味着更高的自由电子或者空穴密度。从而IGBT在保留MOS管优点的同时，增加了载流能力和抗压能力。
这样，IGBT就可以承担新能源车上交直流转换、高低压转换的繁重而精确的工作了。
第二个问题，IGBT在哪里有应用？交流电和直流电各有优势，交流电适合发电站发电，且可以通过电磁感应简单地变换电压；直流电则适合使用化学电池储存。
但在半导体功率开关诞生之前，两者之间无法自由且高效地互相转换。所以在爱迪生和特斯拉的时代，两位科学巨人在道路选择的问题上发生了很大的分歧。
自从有了诸如IGBT的功率半导体开关，人们就能通过PWM脉宽调制的方式，配合一定的简单电路，让电能在交流和直流之间自由转换，并且控制交直流的电压，以及交流电的频率——关键效率还很高，不会损失很多能量。
如果你不了解这交流电如何变成直流电，下面我们的这篇视频，应该可以让你三分钟快速了解。
文中为了便于理解，举例的是最简单的单相桥式电路。工程师使用更复杂的三相桥式电路，还可以任意控制三相交流电的每相相位，从而实现对于使用交流电的电机，进行精确控制。
生活中的许多场合都会用到功率半导体开关——从手机充电器、到微波炉、变频空调/冰箱等家电，到新能源汽车、高铁，超高压输电线路的变电站，甚至有可能应用在航母的电磁弹射等。
作为功率半导体开关中，效率与控制精度较高的一类，IGBT的制造工艺更为复杂，耐压程度更高，成本也会相对较高。所以一般都应用在相对比较高级、能够承担更高成本的场合——
比如对控制精度要求很高、输出实时变化的新能源车上的电机控制器、充电器；对耐压和输出精度都要求较高的高铁电机控制器；对耐压要求很高的变电站升降压电路等场合。至于更一般的场合，一般会用成本更低的MOSFET管、晶闸管等。
绿芯工程师，关注我，给你最硬核而有趣的新能源汽车科普igbt是多少纳米？
这个问题没有明确结论，因为IGBT并不是一种纳米级别的物质或材料。IGBT是一种晶体管，属于半导体器件的一种，主要用于功率电子转换和控制。它的尺寸不是以纳米为度量单位。如果要讨论IGBT的性能和特性，需要详细探讨其制造工艺、结构、材料等方面的内容。
为什么能产生交流？
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种功率半导体器件，能够在高电压和高电流条件下工作。它由一个PNPN结构组成，具有一个控制栅极和一个主极。IGBT的工作原理是通过控制栅极电压来控制主极电流的通断。当控制栅极施加正向电压时，PNPN结构中的NPN三极管被打开，主极电流可以流动。
当控制栅极施加负向电压时，PNPN结构中的PN结被反偏，主极电流被截断。
通过控制栅极电压的变化，可以实现对主极电流的快速开关，从而产生交流信号。因此，IGBT能够产生交流信号。
电焊机里IGBT啥意思？
IGBT是功率元器件，是逆变焊机里采用高成本、高性能的功率元器件， IGBT双模块全桥技术，目前采用该技术与配置的有：山大奥太、北京时代、深圳麦太保、浙江凯尔达、成都华远、、、、这几家工厂的IGBT逆变焊机，质量都还是算是过关的。