igbt是什么，igbt是单极性还是双极性？
IGBT晶体管是由BJT(双极型晶体或双极性晶体管,俗称三极管)
igbt触发方式？
IGBT,既具备了CMOS管的高输入电阻，又具备了双极型晶体管的低导通压降。 如果想正常可靠工作，不能使用脉冲。应该是：G-S加正电压导通，G-S加负电压截止。因为其G的高输入阻抗，在测量时在G-S加正电压后，G-S的电容储存的电荷释放缓慢，即使去掉驱动信号，IGBT也会继续维持导通一会，但这种情况不稳定，尽量不要利用这种特性。
igbt由哪两种器件构成？
igbt是由三极管和场效应管复合而成。
igbt输出是什么？
igbt全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管，可以简单理解为IGBT是MOSFET和BJT的组合体。
igbt型号参数的含义？
1.集电极—发射极间电压(VCES)-在门极-发射极之间处于短路状态时，集电极-发射极间的最大电压。
2.门极—发射极间电压（VGES）-在集电极-发射极间处于短路状态时，门极-发射极间能够施加的最大电压（通常正负20Vmax）
3.集电极电流（IC）-集电极的电极上容许的最大直流电流。
4.最大集电极电流（ICRM）-集电极的电极上容许的最大脉冲电流
5.正向导通电流（IF） ——集成二极管上容许的最大直流正向电流
6.最大正向导通电流（IFRM）——集成二极管上容许的最大脉冲正向电流
7.短路电流(ISC)——IGBT 短路时的电流
8.最大损耗（PTOT）——每个IGBT容许的最大功耗损耗
9.结温（TJ）——使元件能够连续性工作的最大芯片温度
10.正向峰值浪涌电流（IFSM）——在不破坏元件范围内所允许的一周期以上商用正弦半波（50、60HZ）的电流最大值
11.集电极-发射极断路电流（ICES）——门极（下称G）-发射极（下称E）间处于短路状态时，在集电极（下称C）-E间外加指定的电压时C—E间的漏电流
12.门极-发射极间的漏电流（IGES）——C-E间处于短路状态时，在G-E间外加指定的电压时G-E间的漏电流
13.集电极-发射极间的饱和电压（VGE（th））——处于指定的C-E间的电流（下称集电极电流）和C-E间的电压（下称VCE）之间的G-E间的电压（下称VGE）（G-E间有微小电流开始通过时的VGE值用于作为衡量IGBT开始导通时的VGE值尺度）
14.集电极—发射极间的饱和电压（VCE(sat)）——在指定的VGE下，额定集电极电流流过时的VCE值（通常，VGE=15V,计算损耗时重要值）
15输入电容（Cies）——C-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时G-E间的电容。
16.输出电容（Coes）——G-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E 间外加指定电压时C-E间的电容
17.反向传输电容（Cres）——在E接地的情况下，G-E间和C-E间外加指定电压时C-E间的电容
18.二极管正向电压（VF）——在内置二极管中流过指定的正方向电流（通常为额定电流）时的正方向电压（与VCE(sat））相同，也算是计算损耗是的重要值.
19.开通时间（tdon）：VGE上升到0后，VCE下降到最大